FGD3N60UNDF datasheet
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>> FGD3N60UNDF IGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
FGD3N60UNDF
库存数量:
可订货
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
IGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述
IGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
FGD3N60UNDF PDF下载
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
6 A
栅极—射极漏泄电流
10 uA
功率耗散
60 W
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
TO-252-3
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
FGD3N60UNDF
FGD412
FGD4536TM
FGD4536TM_F065
FGH15T120SMD
FGH15T120SMD_F155
供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市创芯弘科技有限公司
13410000176
(2014年前十佳IC供应商)
深圳市九黎科技有限公司
18171547226
郑成静
深圳市海天鸿电子科技有限公司
0755-82552857-809
彭小姐、刘先生、李小姐
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
0755-23949981
曹先生
深圳市逸盛通科技有限公司
13316584388
林廷
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
FGD3N60UNDF 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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